Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour la conception de circuits basse tension et basse puissance, en mettant l'accent sur les caractéristiques des transistors et les modèles de bruit.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Introduit le projet IcySoC, se concentrant sur le calcul ultra-faible puissance et les techniques informatiques approximatives pour l'efficacité énergétique et l'optimisation des performances.
