Explore les petits modèles de signaux de transistors bipolaires avec des exemples d'application et discute du gain de tension, de l'effet précoce et du comportement en température.
Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour les transistors MOS, en mettant l'accent sur son application dans la conception de circuits basse tension et basse puissance.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Fournit une vue d'ensemble des transistors à jonction bipolaire, en se concentrant sur leur petit modèle de signal et leurs applications dans les circuits électroniques.
Couvre les principes et l'optimisation des transistors bipolaires, en se concentrant sur les configurations PNP et NPN et leurs caractéristiques de performance.
Explique les références de tension à l'aide de diodes Zener et de circuits à bande interdite, couvrant les méthodes de polarisation, la stabilité thermique et la réaction négative globale.
