Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Explore les matériaux électroniques organiques, en se concentrant sur les transistors à effet de champ organique (OFET) et leur fonctionnement, leur caractérisation et leurs applications dans le monde réel.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Explore l'utilisation de nanofils semi-conducteurs comme biocapteurs pour la détection sans étiquette des analytes chargés, en mettant l'accent sur la haute sensibilité et la nécessité de poursuivre les recherches.
Explore le dopage électrostatique dans la nanoélectronique à base de carbone, en soulignant l'importance de la faible densité d'états pour de nouveaux concepts de dispositifs.
Présente des matériaux électroniques organiques, couvrant leurs propriétés, leurs défis et leurs applications dans l'ingénierie durable et la fabrication d'appareils.
Explore le concept de coefficient d'inversion dans la conception de circuits intégrés analogiques de faible puissance, en mettant l'accent sur les compromis pour une consommation d'énergie minimale.
Explore une nouvelle méthodologie de mise en page pour améliorer la fonctionnalité de l'appareil grâce à un contrôle dynamique et présente une architecture de tuiles CF efficace pour les circuits logiques amybola.
Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
Plonge dans l'évolution et les limites potentielles de la loi de Moore, analysant son impact sur l'industrie des semi-conducteurs et l'innovation technologique.
Explore les minuteurs ultra-faible puissance pour les capteurs IoT, en discutant des considérations de conception, des compromis, et des stratégies de gestion de l'énergie.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
