Explore les états de surface, le transport de charge dans les semi-conducteurs et les facteurs qui influent sur la mobilité, en soulignant l'importance de comprendre et d'améliorer la mobilité des transporteurs.
Explore le comportement des électrons dans un gaz d'électron et l'arrangement périodique des atomes dans les solides cristallins, ainsi que la densité des états dans diverses dimensions et bandes d'énergie.
Se penche sur l'utilisation du germanium dans le calcul quantique, en mettant l'accent sur les systèmes quantiques à base de trous et les progrès des matériaux.
Fournit une compréhension unifiée des mécanismes de transport de charge dans les semi-conducteurs organiques en utilisant la relation généralisée d'Einstein.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Explore l'histoire, les défis et la mécanique quantique derrière l'électronique organique, en mettant l'accent sur la délocalisation des électrons intramoléculaires et la préparation des matériaux semi-conducteurs.
Explore les défis de dissipation thermique dans les transistors à effet de champ et le potentiel du MOS2 et du graphène pour les appareils électroniques.
Explore la bande interdite dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur l'interaction entre les atomes dans un cristal et la dérivation de l'équation séculaire.
