Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Explore les avantages des sources de courant, des amplificateurs et des circuits intégrés, en se concentrant sur des miroirs de courant efficaces et des conceptions de sortie multiples.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Couvre la conception de circuits intégrés analogiques de faible puissance, en se concentrant sur les amplificateurs de transconductance opérationnels (OTA) et les amplificateurs opérationnels (OPAMP).
Explore les principes de conception numérique, les architectures ADC, les ADC basés sur FPGA, les figures de mérite et les limites inférieures de la conception numérique.
Explore la technique de stabilisation Chopper (CHS) dans la conception de circuits intégrés analogiques, en se concentrant sur la réduction du bruit et la minimisation des décalages.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour les transistors MOS, en mettant l'accent sur son application dans la conception de circuits basse tension et basse puissance.
Explore les transistors, des concepts de base aux applications de circuit, en passant par les sources de courant, les amplificateurs, les suiveurs et les commutateurs.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
