Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
Couvre l'évolution des circuits intégrés numériques, l'impact des demandes du marché, les fonctionnalités modernes des circuits intégrés, l'histoire des microprocesseurs et la loi de Moore.
Explore les avantages des sources de courant, des amplificateurs et des circuits intégrés, en se concentrant sur des miroirs de courant efficaces et des conceptions de sortie multiples.
Fournit une vue d'ensemble de la technologie derrière les portes logiques, couvrant les familles TTL et CMOS et abordant les dangers statiques et dynamiques, les horloges fermées et le débouncing des commutateurs.
Plonge dans l'évolution et les limites potentielles de la loi de Moore, analysant son impact sur l'industrie des semi-conducteurs et l'innovation technologique.
Explore l'évolution des systèmes numériques, des transistors aux circuits intégrés, en mettant l'accent sur l'impact de la loi de Moore et du travail pratique du FPGA.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Fournit une vue d'ensemble des transistors à jonction bipolaire, en se concentrant sur leur petit modèle de signal et leurs applications dans les circuits électroniques.
Explore l'évolution des systèmes numériques des transistors aux circuits intégrés et leur impact sur les applications grand public et les technologies IoT.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre les considérations de conception pour les circuits NAND tridimensionnels, en se concentrant sur le dimensionnement des transistors et l'optimisation des performances.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
