Couvre les processus de génération et de recombinaison dans les semi-conducteurs hors d'équilibre, détaillant leurs implications sur le comportement des semi-conducteurs.
Couvre la mesure de la tension intégrée dans les jonctions semi-conductrices en utilisant des sondes Kelvin et leurs applications dans diverses structures semi-conductrices.
Couvre l'analyse des jonctions N+/N dans les composants semi-conducteurs, en se concentrant sur les courants de diffusion et de dérive et leur équilibre.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Couvre l'interprétation des diagrammes de bande dans les composants semi-conducteurs, en se concentrant sur les diodes de jonction pn et leur comportement sous tension appliquée.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
Couvre les masses efficaces dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les bandes d'énergie et leurs implications pour les matériaux comme le silicium et l'arséniure de gallium.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Couvre les principes et les applications des détecteurs thermiques, y compris les cellules et les thermocouples de Golay, en mettant l'accent sur leurs mécanismes opérationnels et les défis de la miniaturisation.
Explore les dispositifs thermoélectriques, discutant de la façon dont les structures à l'échelle nanométrique peuvent améliorer les performances et l'efficacité.
Couvre les principes des détecteurs optiques dans les semi-conducteurs avec une bande interdite indirecte, en se concentrant sur la conservation de l'énergie et de l'élan pendant les transitions électroniques.
