Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.
Couvre les principes de transfert de charge dans les caméras CCD et leur efficacité, en se concentrant sur les mécanismes de transfert de charge et l'impact de la conception sur la performance.
Discute de la physique des semi-conducteurs, en se concentrant sur les états d'équilibre et les structures de bande d'énergie dans les semi-conducteurs homogènes et inhomogènes.
Couvre les bases des courants DC, des résistances, des condensateurs et des supraconducteurs, y compris le contexte historique et les découvertes primées par le prix Nobel.
Explore les dispositifs semi-conducteurs développement historique, résistance au contact, caractéristiques FET, limite quantique, contacts de matériaux 2D, et mécanismes de charge-injection.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Explore la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, y compris la loi de Moore, les caractéristiques FET, les limites quantiques et les techniques de mesure.
Introduit des méthodes optiques en chimie, couvrant l'optique des rayons, les lasers, la spectroscopie et la physique des rayons X, en mettant l'accent sur les interactions lumière-matière et les avancées lauréates du prix Nobel.
