Couvre les processus de génération et de recombinaison dans les semi-conducteurs hors d'équilibre, détaillant leurs implications sur le comportement des semi-conducteurs.
Couvre l'analyse des jonctions N+/N dans les composants semi-conducteurs, en se concentrant sur les courants de diffusion et de dérive et leur équilibre.
Couvre les propriétés de transport des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges, les courants de dérive et la relation entre la mobilité et la conductivité.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore le vecteur de déplacement D, les ondes planes et le potentiel du vecteur magnétique, en répondant aux questions des étudiants et en clarifiant les concepts clés.
Explore la dérivation et les implications de la 4ème équation de Maxwell, en soulignant l'importance de la conservation de la charge et le rôle du courant de déplacement.
