Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Couvre les propriétés d'équilibre des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges et l'influence de la température sur la génération d'électrons-trous.
Explore l'évolution historique et les défis des émetteurs de lumière visibles efficaces, en mettant l'accent sur la technologie LED et la recherche d'une efficacité 100%+.
Couvre l'influence du dopage sur les concentrations de porteurs dans les semi-conducteurs extrinsèques et les changements qui en résultent dans le niveau d'énergie de Fermi.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
Explore les détecteurs de semi-conducteurs pour la détection des radiations, couvrant l'histoire, les principes, les porteurs de charge, le dopage, les jonctions p-n et la chaîne de détection.
Explore les structures de bandes dans les semi-conducteurs, en discutant de la sélection des vecteurs d'ondes réciproques et du couplage des vibrations des électrons et des phonons.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Explore les détecteurs de semi-conducteurs pour la détection des radiations, couvrant les principes, les applications, le dopage, les jonctions p-n et les mécanismes de détection.
Couvre les processus de génération et de recombinaison dans les semi-conducteurs hors d'équilibre, détaillant leurs implications sur le comportement des semi-conducteurs.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
