Explore les techniques de spectroscopie d'énergie comme XPS et UPS, la spectroscopie Auger, la sensibilité de surface et la structure de bande de graphène.
Déplacez-vous dans les propriétés des matériaux Van der Waals, en mettant l'accent sur les cristaux 2D avec une liaison distincte dans le plan et de faibles interactions intercouches.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Explore la liaison chimique dans les solides, la structure de la bande et les techniques de diffusion de surface pour les mesures des paramètres du réseau et l'analyse de l'orientation des cristaux.
Explore les mécanismes de relaxation de spin, la théorie de la perturbation, les taux de relaxation, la conservation de l'élan, la traînée de phonon, les interactions électron-magnon et les symétries.
Résume les concepts clés dans Solid State Physics II, y compris les structures de bandes, les surfaces de Fermi, l'approximation de fixation serrée et les isolants par rapport aux métaux.
Explore les propriétés de base des semi-conducteurs, y compris la conductivité, les impuretés, les intervalles de bande et les structures cristallines.
Explore la localisation des électrons dans des matériaux 2D empilés incommensurablement, y compris le graphène bicouche tordu et les dichalcogénides métalliques de transition.
Explore le comportement des électrons dans un gaz d'électron et l'arrangement périodique des atomes dans les solides cristallins, ainsi que la densité des états dans diverses dimensions et bandes d'énergie.
Explore les appareils et matériaux électroniques 2D, y compris le graphène, les dichalcogénides métalliques de transition, les excitons et la vallétronics.
Explore la structure des bandes de phonons, la densité des états et les modes dans les réseaux cristallins, y compris l'équation de Schrodinger et la dispersion des phonons.
Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
