Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
Explore le comportement des électrons dans un gaz d'électron et l'arrangement périodique des atomes dans les solides cristallins, ainsi que la densité des états dans diverses dimensions et bandes d'énergie.
Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.
Couvre les modes de fonctionnement d'une jonction MOS sur un substrat de type n, en se concentrant sur les effets de potentiel de surface et de flexion de bande.
Explore la structure des bandes dans diverses dimensions, les effets de confinement quantique, la densité des états et les quantités de Fermi dans les objets 3D.
Explore la structure de la bande électronique, les propriétés des matériaux et la densité des états dans les potentiels périodiques, y compris les niveaux d'énergie et les fonctions d'onde.
Se penche sur l'utilisation du germanium dans le calcul quantique, en mettant l'accent sur les systèmes quantiques à base de trous et les progrès des matériaux.
Couvre les principes des détecteurs photoémissifs et l'effet photoélectrique, détaillant le comportement des électrons dans les métaux et les semi-conducteurs dans différentes conditions de lumière.
Explore l'évolution historique et les défis des émetteurs de lumière visibles efficaces, en mettant l'accent sur la technologie LED et la recherche d'une efficacité 100%+.
Couvre l'influence du dopage sur les concentrations de porteurs dans les semi-conducteurs extrinsèques et les changements qui en résultent dans le niveau d'énergie de Fermi.
