Couvre les masses efficaces dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les bandes d'énergie et leurs implications pour les matériaux comme le silicium et l'arséniure de gallium.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Couvre les principes de l'absorption optique dans les gaz et les semi-conducteurs, détaillant les interactions énergétiques et les techniques de mesure.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Discute des porteurs de charge dans les matériaux organiques, en se concentrant sur les solitons, les polarons et leurs implications pour le transport de charge et les performances des appareils.
Couvre les propriétés d'équilibre des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges et l'influence de la température sur la génération d'électrons-trous.
Explore la bande interdite dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur l'interaction entre les atomes dans un cristal et la dérivation de l'équation séculaire.
Couvre les principes des détecteurs optiques dans les semi-conducteurs avec une bande interdite indirecte, en se concentrant sur la conservation de l'énergie et de l'élan pendant les transitions électroniques.
Explore la formation de polarons, d'excitons, d'effets de dopage chimique et le comportement des porteurs de charge dans les semi-conducteurs organiques.
Explore les propriétés de base des semi-conducteurs, y compris la conductivité, les impuretés, les intervalles de bande et les structures cristallines.
Explore la liaison chimique dans les solides, la structure de la bande et les techniques de diffusion de surface pour les mesures des paramètres du réseau et l'analyse de l'orientation des cristaux.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
