Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Couvre les principes fondamentaux de la logique statique, y compris l'immunité au bruit, les marges de bruit et diverses conceptions de portes logiques.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour la conception de circuits basse tension et basse puissance, en mettant l'accent sur les caractéristiques des transistors et les modèles de bruit.
Explore les calculs de résistance, de capacité et d'inductance, les transistors MOS, les modèles à retard, la dissipation de puissance et les variations PVT.
