Couvre les modes de fonctionnement d'une jonction MOS sur un substrat de type n, en se concentrant sur les effets de potentiel de surface et de flexion de bande.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore la détection d'amplification d'ADN en temps réel à l'aide d'un transistor à semi-conducteur et discute des stratégies de compensation pour les réseaux de capteurs.
Explique les mécanismes de collecte de charge dans les caméras CCD, en se concentrant sur les photogates et l'impact des méthodes d'éclairage sur l'efficacité quantique.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Discute des jonctions métal-semi-conducteur, de leur contexte historique, de l'équilibre thermodynamique et des principes régissant leur fonctionnement dans la technologie des semi-conducteurs.
Couvre la physique des jonctions p-n, y compris les propriétés à l'équilibre thermique, la formation de la région de charge d'espace et la lithographie optique.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
