Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre les principes de conception et les paramètres clés des amplificateurs NMOS, en se concentrant sur la transconductance et l'optimisation du gain.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Fournit une vue d'ensemble des diodes et des transistors, en se concentrant sur leurs principes, leurs caractéristiques et leurs mécanismes opérationnels dans les circuits électroniques.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Fournit une vue d'ensemble des transistors à jonction bipolaire, en se concentrant sur leur petit modèle de signal et leurs applications dans les circuits électroniques.
Couvre la conception et la fonction des amplificateurs différentiels, en se concentrant sur les amplificateurs opérationnels et les comparateurs, y compris leurs caractéristiques de gain et leurs configurations de circuit.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Discute des configurations de transistors bipolaires, en se concentrant sur les configurations de base et d'émetteurs communs, leurs gains de courant et l'impact de la tension Early.
Explique les références de tension à l'aide de diodes Zener et de circuits à bande interdite, couvrant les méthodes de polarisation, la stabilité thermique et la réaction négative globale.
Discute des jonctions métal-semi-conducteur, de leur contexte historique, de l'équilibre thermodynamique et des principes régissant leur fonctionnement dans la technologie des semi-conducteurs.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
