Couvre les masses efficaces dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les bandes d'énergie et leurs implications pour les matériaux comme le silicium et l'arséniure de gallium.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Couvre la formation de bandes dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur le silicium et l'arséniure de gallium, ainsi que leurs propriétés électroniques et leurs structures cristallines.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Discute des propriétés optiques des semi-conducteurs, en se concentrant sur les coefficients d'absorption et les différences entre les semi-conducteurs directs et indirects.
Couvre les propriétés d'équilibre des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges et l'influence de la température sur la génération d'électrons-trous.
Couvre le théorème de Bloch et le modèle de Kronig-Penney, essentiels pour comprendre la théorie des bandes de semi-conducteurs et les états électroniques dans les potentiels périodiques.
Couvre les principes des détecteurs optiques dans les semi-conducteurs avec une bande interdite indirecte, en se concentrant sur la conservation de l'énergie et de l'élan pendant les transitions électroniques.
Discute des porteurs de charge dans les matériaux organiques, en se concentrant sur les solitons, les polarons et leurs implications pour le transport de charge et les performances des appareils.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
