Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Fournit une vue d'ensemble des transistors à jonction bipolaire, en se concentrant sur leur petit modèle de signal et leurs applications dans les circuits électroniques.
Explore l'évolution des systèmes numériques des transistors aux circuits intégrés et leur impact sur les applications grand public et les technologies IoT.
Explore les avantages des sources de courant, des amplificateurs et des circuits intégrés, en se concentrant sur des miroirs de courant efficaces et des conceptions de sortie multiples.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
Couvre l'évolution des circuits intégrés numériques, l'impact des demandes du marché, les fonctionnalités modernes des circuits intégrés, l'histoire des microprocesseurs et la loi de Moore.
Discute des configurations de transistors bipolaires, en se concentrant sur les configurations de base et d'émetteurs communs, leurs gains de courant et l'impact de la tension Early.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Fournit une vue d'ensemble des diodes et des transistors, en se concentrant sur leurs principes, leurs caractéristiques et leurs mécanismes opérationnels dans les circuits électroniques.
Couvre les principes et l'optimisation des transistors bipolaires, en se concentrant sur les configurations PNP et NPN et leurs caractéristiques de performance.
Fournit une vue d'ensemble de la technologie derrière les portes logiques, couvrant les familles TTL et CMOS et abordant les dangers statiques et dynamiques, les horloges fermées et le débouncing des commutateurs.
Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.
