Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Couvre les principes de l'absorption optique dans les gaz et les semi-conducteurs, détaillant les interactions énergétiques et les techniques de mesure.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Couvre les principes des détecteurs photoémissifs et l'effet photoélectrique, détaillant le comportement des électrons dans les métaux et les semi-conducteurs dans différentes conditions de lumière.
Couvre la formation de bandes dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur le silicium et l'arséniure de gallium, ainsi que leurs propriétés électroniques et leurs structures cristallines.
Couvre les propriétés d'équilibre des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges et l'influence de la température sur la génération d'électrons-trous.
Discute du dopage dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur la concentration des porteurs, l'énergie d'ionisation et les effets de la température sur les propriétés électriques.
Couvre l'interprétation des diagrammes de bande dans les composants semi-conducteurs, en se concentrant sur les diodes de jonction pn et leur comportement sous tension appliquée.
Discute des principes de la mécanique quantique, en se concentrant sur la concentration en porteurs libres et la distribution de Maxwell dans les métaux et les gaz.
Couvre le théorème de Bloch et le modèle de Kronig-Penney, essentiels pour comprendre la théorie des bandes de semi-conducteurs et les états électroniques dans les potentiels périodiques.