Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Gatien Cosendey

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2026 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Unités associées (1)

EPFL
VPA-AVP-CP
CMI
CMI-GE

Publications associées (17)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Analysis of structurally sensitive loss in GaN-based VCSEL cavities and its effect on modal discrimination

Gatien Cosendey, Nicolas Grandjean, Ehsan Hashemi

Lateral loss causes optical energy to leave the laser cavity in the transverse, lateral, direction, and is sometimes neglected to simplify the numerical simulations. However, in contrast to outcoupling and absorption losses, we show that the lateral loss c ...

Optical Soc Amer2014

Intrinsic degradation mechanism of nearly lattice-matched InAlN layers grown on GaN substrates

Jean-François Carlin, Gatien Cosendey, Nicolas Grandjean, Raphaël Butté

Thanks to its high refractive index contrast, band gap, and polarization mismatch compared to GaN, In0.17Al0.83N layers lattice-matched to GaN are an attractive solution for applications such as distributed Bragg reflectors, ultraviolet light-emitting diod ...

Amer Inst Physics2013

Q-factor of (In,Ga)N containing III-nitride microcavity grown by multiple deposition techniques

Jean-François Carlin, Gatien Cosendey, Jacques Levrat, Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Marlene Glauser, Georg Rossbach

A 3 lambda/2 (In,Ga)N/GaN resonant cavity, designed for similar to 415nm operation, is grown by molecular beam epitaxy and is sandwiched between a 39.5-period (In,Al)N/GaN distributed Bragg reflector (DBR), grown on c-plane GaN-on-sapphire pseudo-substrate ...

Amer Inst Physics2013