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Publications associées (3)

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Benchmarking of Homojunction Strained-Si NW Tunnel FETs for Basic Analog Functions

Mihai Adrian Ionescu, Florin Udrea, Arnab Biswas, Cem Alper

This paper reports a compact ambipolar model for homojunction strained-silicon (sSi) nanowire (NW) tunnel FETs (TFETs) capable of accurately describing both I-V and G-V characteristics in all regimes of operation, n- and p-ambipolarity, the superlinear ons ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2017

SOI Hall cells design selection using three-dimensional physical simulations

Florin Udrea, Maria-Alexandra Paun

The main characteristics of Hall Effect Sensors, based on "silicon-on-insulator" (SOI) structure in the ideal design features, are evaluated by performing three-dimensional physical simulations. A particular Hall shape reproducing an XFAB SOI XI10 integrat ...

Elsevier2014

High tuning range AlSi RF MEMS capacitors fabricated with sacrificial amorphous silicon surface micromachining

Michel Declercq, Philippe Renaud, Catherine Dehollain, Raphaël Fritschi, Philippe Flückiger, Mihai Adrian Ionescu, Cyrille Hibert, Florin Udrea, Dimitrios Tsamados

This paper reports the fabrication and electrical characterization of high tuning range AlSi RF MEMS capacitors. We present experimental results obtained by a surface micromachining process that uses dry etching of sacrificial amorphous silicon to release ...

2004