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Publications associées (6)

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Novel Picosecond Time-Resolved Cathodoluminescence to Probe Exciton Recombination Dynamics in GaN and GaN Based Heterostructures

Benoît Marie Joseph Deveaud, Jean-Daniel Ganière, Samuel Sonderegger, Nicolas Grandjean, Laurent Balet, Jelena Ristic, Pierre Michel Corfdir

Cambridge, Cambridge University Press2010

Time-resolved spectroscopy on GaN nanocolumns grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on Si substrates

Benoît Marie Joseph Deveaud, Jean-Daniel Ganière, Jelena Ristic, Pierre Michel Corfdir

A detailed study of excitons in unstrained GaN nanocolumns grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates is presented. The time-integrated and time-resolved photoluminescence spectra do not depend significantly on the (111) or (001) ...

American Institute of Physics2009

Exciton localization on basal stacking faults in a-plane epitaxial lateral overgrown GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

Benoît Marie Joseph Deveaud, Jean-Daniel Ganière, Denis Martin, Jacques Levrat, Nicolas Grandjean, Tiankai Zhu, Jelena Ristic, Pierre Michel Corfdir

We present a detailed study of the luminescence at 3.42 eV usually observed in a-plane epitaxial lateral overgrowth (ELO) GaN grown by hydride vapor phase epitaxy on r-plane sapphire. This band is related to radiative recombination of excitons in a commonl ...

American Institute of Physics2009