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Publications associées (8)

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Doping incorporation paths in catalyst-free Be-doped GaAs nanowires

Anna Fontcuberta i Morral, Carlo Colombo, Martin Heiss, Alberto Casadei

The incorporation paths of Be in GaAs nanowires grown by the Ga-assisted method in molecular beam epitaxy have been investigated by electrical measurements of nanowires with different doping profiles. We find that Be atoms incorporate preferentially via th ...

American Institute of Physics2013

Electrical contacts to single nanowires: a scalable method allowing multiple devices on a chip. Application to a single nanowire radial p-i-n junction

Anna Fontcuberta i Morral, Carlo Colombo, Martin Heiss, Anna Dalmau Mallorquí, Pierre Loïc Blanc

Semiconductor nanowires are currently at the forefront of research in the areas of nanoelectronics and energy conversion. In all these studies, realising electrical contacts and statistically relevant measurements is a key issue. We propose a method that e ...

Inderscience2013

An Electrically-Driven GaAs Nanowire Surface Plasmon Source

Anna Fontcuberta i Morral, Carlo Colombo

Over the past decade, the properties of plasmonic waveguides have extensively been studied as key elements in important applications that include biosensors, optical communication systems, quantum plasmonics, plasmonic logic, and quantum-cascade lasers. Wh ...

American Chemical Society2012