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Publications associées (10)

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Performance improvement of chip-level CMOS-integrated ReRAM cells through material optimization

Yusuf Leblebici, Thomas La Grange, Elmira Shahrabi, Tugba Demirci

The integration of the resistive random access memory (ReRAM) with CMOS logic circuitry provides a solution to scaling limitations, and offers promising candidates for use in next generation computing applications. It is challenging to realize a reliable, ...

ELSEVIER SCIENCE BV2019

ReRAM From Material Study to CMOS Co-integration

Elmira Shahrabi

The revolution of information-technology owes to silicon-based complementary-metal-oxide (CMOS) technology. However, CMOS technology approaches its physical limitation hardening the further progress of memory devices as well as computing paradigm requiring ...

EPFL2019

Multi-ReRAM synapses for artificial neural network training

Yusuf Leblebici, Elmira Shahrabi, Irem Boybat Kara, Igor Krawczuk, Abu Sebastian, Carlo Ricciardi, Cecilia Giovinazzo, Evangelos Eleftheriou

Metal-oxide-based resistive memory devices (ReRAM) are being actively researched as synaptic elements of neuromorphic co-processors for training deep neural networks (DNNs). However, device-level non-idealities are posing significant challenges. In this wo ...

IEEE2019