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Nicolas Philippe Laurent Humblot

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Publications associées (3)

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THz characterization of GeSn monocrystalline thin films

Anna Fontcuberta i Morral, Nicolas Philippe Laurent Humblot, Andrea Giunto

The employment of other group IV materials, such as alloys of germanium and tin, poses a solution for overcoming the efficiency limit of silicon that arises from its indirect bandgap. By using THz spectroscopy, the optoelectronic properties, such as conduc ...

IEEE2022

van der Waals Epitaxy of Earth-Abundant Zn3P2 on Graphene for Photovoltaics

Cyril Cayron, Anna Fontcuberta i Morral, Elias Zsolt Stutz, Jean-Baptiste Leran, Nicolas Philippe Laurent Humblot, Roland Logé, Mahdi Zamani, Simon Robert Escobar Steinvall, Rajrupa Paul, Shreyas Sanjay Joglekar

Earth-abundant semiconducting materials are a potential solution for large-scale deployment of solar cells at a lower cost. Zinc phosphide (Zn3P2) is one such Earth-abundant material with optoelectronic properties suitable for photovoltaics. Herein, we rep ...

2020

Co-Sputtered Monocrystalline GeSn for Infrared Photodetection

Andreas Schueler, Josef Andreas Schuler, Anna Fontcuberta i Morral, Luc Burnier, Nicolas Philippe Laurent Humblot, Anna Krammer, Andrea Giunto

We demonstrate monocrystalline growth of GeSn on Ge and Si substrates by co-sputtering. We discuss the evolution of film growth with thickness, elucidating the effects of substrate temperature, sputtering source, and the importance of hydrogen dilution in ...

IEEE2020