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Publications associées (3)

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2-D Materials for Ultrascaled Field-Effect Transistors: One Hundred Candidates under the Ab Initio Microscope

Nicola Marzari, Cédric Klinkert, Davide Campi

Due to their remarkable properties, single-layer 2-D materials appear as excellent candidates to extend Moore's scaling law beyond the currently manufactured silicon FinFETs. However, the known 2-D semiconducting components, essentially transition metal di ...

AMER CHEMICAL SOC2020

Ab Initio Simulation of Band-to-Band Tunneling FETs With Single- and Few-Layer 2-D Materials as Channels

Nicola Marzari, Cédric Klinkert, Davide Campi

Full-band atomistic quantum transport simulations based on first principles are employed to assess the potential of band-to-band tunneling FETs (TFETs) with a 2-D channel material as future electronic circuit components. We demonstrate that single-layer (S ...

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2018

Novel 2-D Materials for Tunneling FETs: an Ab-initio Study

Nicola Marzari, Cédric Klinkert, Davide Campi

IEEE2018