Miguel Ramos

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Publications associées (1)

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Switching Kinetics Control of W-Based ReRAM Cells in Transient Operation by Interface Engineering

Yusuf Leblebici, Thomas La Grange, Mahmoud Hadad, Miguel Ramos, Carlo Ricciardi, Cecilia Giovinazzo

Tungsten (W) is one of the most promising materials to be used in resistive random-access memory electrodes due to its low work function and compatibility with semiconductors, which raises the possibility of device integration, scalability, and low power c ...

WILEY2019

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