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Publications associées (3)

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Corrections to “Experimental Details of a Steep-Slope Ferroelectric InGaAs Tunnel-FET With High-Quality PZT and Modeling Insights in the Transient Polarization”

Igor Stolichnov, Mihai Adrian Ionescu, Ali Saeidi, Hiroshi Iwai

This correspondence highlights that the Gibbs free energy description of a ferroelectric capacitor in series with a paraelectric capacitor, depends on the initial charge on the plates of the ferroelectric capacitor. An incomplete Gibbs free energy descript ...

2020

Near Hysteresis-Free Negative Capacitance InGaAs Tunnel FETs with Enhanced Digital and Analog Figures of Merit below VDD=400mV

Igor Stolichnov, Mihai Adrian Ionescu, Ali Saeidi, Hiroshi Iwai

We report the universal boosting impact of a true negative capacitance (NC) effect on digital and analog performances of Tunnel FETs (TFETs), mirrored for the first time in near hysteresis-free experiments and exploiting the S-shaped polarization character ...

2019

Near Hysteresis-Free Negative Capacitance InGaAs Tunnel FETs with Enhanced Digital and Analog Figures of Merit below V-DD=400mV

Igor Stolichnov, Mihai Adrian Ionescu, Ali Saeidi, Hiroshi Iwai

We report the universal boosting impact of a true negative capacitance (NC) effect on digital and analog performances of Tunnel FETs (TFETs), mirrored for the first time in near hysteresis-free experiments and exploiting the S-shaped polarization character ...

IEEE2018