Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Vladimir Pesic

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2026 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Unités associées (2)

Laboratoire d'architecture quantique

EPFL
STI
IEM
AQUA

Laboratoire d'information quantique avec supraconducteurs

EPFL
SB
IPHYS
SQIL

Publications associées (5)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

From Master Equation to SPICE: A Platform to Model Cryo-CMOS Control for Qubits

Edoardo Charbon, Vladimir Pesic

Cryogenic classical electronics for the control of qubits can be placed near quantum processors for a more compact system, ultimately enabling a highly scalable one. However, cryogenic operation poses very strict power requirements on electronics, in addit ...

IEEE2024

Challenges and prospects for multi-chip microlens imprints on front-side illuminated SPAD imagers

Claudio Bruschini, Edoardo Charbon, Scott Anthony Lindner, Ivan Michel Antolovic, Vladimir Pesic, Tommaso Milanese

The overall sensitivity of frontside-illuminated, silicon single-photon avalanche diode (SPAD) arrays has often suffered from fill factor limitations. The fill factor loss can however be recovered by employing microlenses, whereby the challenges specific t ...

Optica Publishing Group2023

Extended Temperature Modeling of InGaAs/InP SPADs

Claudio Bruschini, Edoardo Charbon, Myung Jae Lee, Ekin Kizilkan, Utku Karaca, Vladimir Pesic

We present a simulation method to estimate the dark count rate (DCR), photon detection probability (PDP), and dark current of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes (SPADs) from 225K to 300K. All simulations are performed completely in TCAD and match we ...

IEEE2023