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Zheng Hao

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Publications associées (2)

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p-NiO/LiNiO-GaN heterojunctions: a potential alternative to p-GaN for advanced devices

Mounir Driss Mensi, Elison de Nazareth Matioli, Alessandro Floriduz, Zheng Hao

In this work, we introduce a p-NiO/LiNiO stack grown via low-temperature deposition processes, offering an effective alternative for creating localized p-type regions in GaN devices. This stack combines a high hole concentration p-NiO film ([h] = 2 × 1019 ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2025

Polarization-enhanced GaN Schottky barrier diodes: Ultra-thin InGaN for high breakdown voltage and low Ron

Elison de Nazareth Matioli, Alessandro Floriduz, Zheng Hao

In this work, we present a concept that leverages the strong piezoelectric polarization field in InGaN, which counteracts the external electric field at reverse bias. We show that despite the smaller InGaN band-gap and lower critical electric field, its st ...

2024

Unités associées (1)

Laboratoire de dispositifs semiconducteurs de puissance

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