Publication

The self-interstitial in silicon and germanium

Alexandra Sarabando de Carvalho
2009
Conference Papers

Résumé

Low temperature irradiation experiments show a remarkable contrast between Si and Ge. suggesting that the behavior of self-interstitials and vacancies is very different in the two materials. The present paper reviews theoretical and experimental investigations of the defects in an attempt to understand these differences. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/13ce9a22-e9e4-4cc6-bf10-0295ca80a756

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Alexandra Sarabando de Carvalho
2009
Conference Papers

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/13ce9a22-e9e4-4cc6-bf10-0295ca80a756

À propos de ce résultat

Concepts associés (3)

Atome interstitiel

In materials science, an interstitial defect is a type of point crystallographic defect where an atom of the same or of a different type, occupies an interstitial site in the crystal structure. When the atom is of the same type as those already present they are known as a self-interstitial defect. Alternatively, small atoms in some crystals may occupy interstitial sites, such as hydrogen in palladium.

Défaut cristallin

vignette|Défauts ponctuels vus au MET (a, atome de S substitué par Mo) et lacunes (b, atomes de S manquants). Echelle barre: 1 nm. Un 'défaut cristallin' est une interruption de la périodicité du cristal. La périodicité d'un cristal représente la répétition régulière des positions atomiques dans les trois directions de l'espace. Les motifs réguliers sont interrompus par des défauts cristallographiques. Ils peuvent être ponctuels (dimension 0), linéaires (dimension 1), planaires (dimension 2) ou volumiques (dimension 3).

Droits des États

Dans la politique aux États-Unis, le terme « droits des États » (states' rights) fait référence à la souveraineté individuelle des gouvernements des États américains vis-à-vis de l'État fédéral. La répartition des pouvoirs est déterminée par la Constitution, reflétant notamment les pouvoirs énumérés du Congrès et le Dixième amendement. La question des droits des États fut l'un des principaux arguments négationnistes du mouvement néo-confédéré, qui a cherché à légitimer a posteriori la « Cause perdue » de la Confédération, en niant le fait que l'esclavage fut la cause principale de la guerre de Sécession.

Publications associées (5)

Molecular dynamics simulations of irradiation of alpha-Fe thin films with energetic Fe ions under channeling conditions

Anna Prokhodtseva

Using molecular dynamics simulations with recent interatomic potentials developed for Fe, we have studied the defects in thin films of pure bcc Fe induced by the displacement cascade produced by Fe atoms of 50, 100, and 150 keV impinging under a channeling ...

Elsevier Science Bv2014

Impact of He and Cr on defect accumulation in ion-irradiated ultrahigh-purity Fe(Cr) alloys

Robin Schäublin, Amuthan Ramar, Anna Prokhodtseva

The effect of He on the primary damage induced by irradiation in ultrahigh-purity (UHP) Fe and Fe(Cr) alloys was investigated by transmission electron microscopy (TEM). Materials were irradiated at room temperature in situ by TEM in a microscope coupled to ...

Pergamon-Elsevier Science Ltd2013

Identification of defect levels at InxGa1-xAs/oxide interfaces through hybrid functionals

Alfredo Pasquarello, Hannu-Pekka Komsa

Hybrid density functional calculations and atomistic models are used to study point defects in III-V compounds. We first study dangling-bonds in InxGa1-xAs. In GaAs, the cation dangling-bond levels are found in the upper part of the band gap, but they are ...

Elsevier2011

Afficher plus