Transistor bipolairevignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.
Porteur de chargeUn porteur de charge est, en sciences physiques, une particule ou une quasi-particule qui porte une charge électrique. En se déplaçant, les porteurs de charge créent un courant électrique, comme les ions dans les solutions liquides et les électrons dans les solides. En électronique cette notion est incontournable, les deux porteurs de charge considérés sont les électrons, portant une charge −e, les trous, peuvent se déplacer assez librement dans le réseau cristallin.
Carrier generation and recombinationIn the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes.
Méthode des éléments finisEn analyse numérique, la méthode des éléments finis (MEF, ou FEM pour finite element method en anglais) est utilisée pour résoudre numériquement des équations aux dérivées partielles. Celles-ci peuvent par exemple représenter analytiquement le comportement dynamique de certains systèmes physiques (mécaniques, thermodynamiques, acoustiques).
MinoritéLa minorité est : L’état d’une personne qui n’a pas encore atteint l'âge légal et ne peut pas être considérée comme pleinement responsable de ses actes, n'étant pas majeure. Voir Majorité civile ; Un état d’infériorité (sens moins courant). Voir minorité nationale et minorité visible ; Dans un groupe donné, le regroupement du plus petit nombre face au regroupement du plus grand nombre, la minorité s’opposant à la majorité : la minorité du parti, du Parlement.
Droits des minoritésLes droits des minorités réfèrent aux droits individuels et collectifs des minorités. La doctrine favorable en droit international désigne deux classes de droits, l'une est le droit matériel et l'autre est appliquée au droit moral. Les droits des minorités sont intégrés au droit international des droits de l'homme. Tout comme le droit de l'enfant, les droits des femmes et les droits des réfugiés, les droits des minorités sont établis dans un cadre construit pour s'assurer qu'un groupe socialement vulnérable y compris les personnes LGBT et handicapées, désavantagé ou exclu puisse atteindre l'égalité et être protégé de la persécution.
Langue minoritaireUne langue minoritaire est une langue parlée par des minorités linguistiques provinciales, nationales ou ethniques, dans un pays donné. Ne sont pas considérées comme langues minoritaires les langues issues de l'immigration ou les dialectes de la langue majoritaire. Elles sont également appelées langues minorisées, autochtones, indigènes, . Dans certains pays, notamment dans la plupart des pays d'Europe (à l'exclusion de la France), mais aussi au Canada et dans l'Afrique du Sud d'après l'apartheid, des lois accordent une définition et un statut particuliers à de telles langues.
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Zone de déplétionEn électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres).
Deep-level transient spectroscopyDeep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. DLTS investigates defects present in a space charge (depletion) region of a simple electronic device. The most commonly used are Schottky diodes or p-n junctions.
Carte à pucethumb|Un des premiers prototypes de carte à puce, réalisé par Roland Moreno en 1975. Il met en évidence le principe de fonctionnement de la carte à puce où chaque "patte" du circuit intégré (au centre) est reliée à un contact (éléments dorés) qui la met en relation avec l'extérieur. Une fois miniaturisé, ce circuit intégré devient la "puce" de la carte, recouverte par les connecteurs des contacts. Une carte à puce est une carte en matière plastique, en papier ou en carton, de quelques centimètres de côté et moins d'un millimètre d'épaisseur, portant au moins un circuit intégré capable de contenir de l'information.
Minorité modèleUne minorité modèle est un groupe (ethnique ou autre) perçu comme jouissant d'un statut socio-économique plus élevé que celui des autres minorités. Ce succès est généralement jaugé en prenant en compte des indicateurs tel que le revenu personnel, le niveau d'éducation, ou encore le taux de criminalité. Ce procédé homogénéise bien souvent les groupes. Le mythe de la « réussite » des Asiatiques aux États-Unis, par exemple, ne tient pas face à l'étude fine des conditions de vie de ce groupe.
Silicènevignette|Images par STM de la première (4×4) et seconde (√3×√3-β) couche de silicène sur une surface d'argent. Taille de l'image 16×16 nm. Le silicène est une forme allotropique du silicium. C'est un matériau bidimensionnel analogue au graphène et possédant beaucoup de ses propriétés. Il a été observé pour la première fois en 2010. Bien que dès 1994, des théoriciens aient envisagé l'existence du silicène et prédit certaines de ses propriétés, des structures de silicium pouvant correspondre à ces prédictions n'ont été observées qu'à partir de 2009, grâce à la microscopie à effet tunnel.
Diodevignette|Différents types de diodes. La diode (du grec di deux, double ; odos voie, chemin) est un composant électronique. C'est un dipôle non linéaire et polarisé (ou non symétrique). Le sens de branchement d'une diode détermine le fonctionnement du circuit électronique dans lequel elle est placée. Sans précision ce mot désigne un dipôle qui ne laisse passer le courant électrique que dans un sens. Ce dipôle est appelé diode de redressement lorsqu'il est utilisé pour réaliser les redresseurs qui permettent de transformer le courant alternatif en courant continu.
Transistor bipolaire à grille isoléeLe transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais en) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance. Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité que sur l’aspect économique.
Power semiconductor deviceA power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC. A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
SchematicA schematic, or schematic diagram, is a designed representation of the elements of a system using abstract, graphic symbols rather than realistic pictures. A schematic usually omits all details that are not relevant to the key information the schematic is intended to convey, and may include oversimplified elements in order to make this essential meaning easier to grasp, as well as additional organization of the information. For example, a subway map intended for passengers may represent a subway station with a dot.
Courant continu haute tensionthumb|upright=1.5|Convertisseurs à thyristors sur le pôle 2 de la ligne Inter-Island en Nouvelle-Zélande.thumb|upright=1.5|Symbole d'un convertisseur AC/DC. Le courant continu haute tension (CCHT), en anglais High Voltage Direct Current (HVDC), est une technologie d'électronique de puissance utilisée pour le transport de l'électricité en courant continu haute tension. Son utilisation est minoritaire par rapport au transport électrique à courant alternatif (AC) traditionnel de nos réseaux électriques.
Régulateur de tensionUn régulateur de tension, est un organe électrotechnique ou un composant électronique qui maintient à sa sortie, dans certaines limites, une tension constante, indépendamment de la charge et de la tension d'entrée. Jusque dans les années 1970, les automobiles utilisaient un régulateur électromécanique pour réguler la tension de sortie de leur dynamo ou de leur alternateur. Ces régulateurs utilisent plusieurs relais commutant des résistances afin de faire varier le courant d'excitation de l'alternateur et rendre ainsi sa tension de sortie indépendante du régime de rotation du moteur et de la consommation électrique.
