Fabrication des dispositifs à semi-conducteursthumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.
Avalanche photodiodeAn avalanche photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor photodiode detector that exploits the photoelectric effect to convert light into electricity. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog of photomultiplier tubes. The avalanche photodiode (APD) was invented by Japanese engineer Jun-ichi Nishizawa in 1952. However, study of avalanche breakdown, microplasma defects in silicon and germanium and the investigation of optical detection using p-n junctions predate this patent.
Masque photographiqueA photomask is an opaque plate with transparent areas that allow light to shine through in a defined pattern. Photomasks are commonly used in photolithography for the production of integrated circuits (ICs or "chips") to produce a pattern on a thin wafer of material (usually silicon). Several masks are used in turn, each one reproducing a layer of the completed design, and together known as a mask set. For IC production in the 1960s and early 1970s, an opaque rubylith film laminated onto a transparent mylar sheet was used.
Lithographie extrême ultravioletvignette|La technologie EUV. vignette|Outil de lithographie EUV. La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »).
PhotolithographieLa photolithographie est l'ensemble des opérations permettant de transférer une image (généralement présente sur un masque) vers un substrat. Cette technique est très utilisée dans l'industrie du semi-conducteur. Les motifs de l'image ainsi transférée deviendront par la suite les différentes zones des composants électroniques (exemple : contact, drain...) ou les jonctions entre ces composants.
StepperA stepper is a device used in the manufacture of integrated circuits (ICs) that is similar in operation to a slide projector or a photographic enlarger. Stepper is short for step-and-repeat camera. Steppers are an essential part of the complex process, called photolithography, which creates millions of microscopic circuit elements on the surface of silicon wafers out of which chips are made. These chips form the heart of ICs such as computer processors, memory chips, and many other devices.
Détecteur de rayons XLes détecteurs de rayons X sont des dispositifs capables de détecter la présence de rayons X. La technologie de détection des rayons X a fortement progressé depuis leur découverte, passant du simple film photographique à des dispositifs électroniques pouvant donner le flux de rayons X et leur énergie. Les rayons X sont des rayonnements ionisants : ils éjectent des électrons de la matière par effet photoélectrique ou effet Compton. C'est ce phénomène qui est utilisé pour la détection.
Radiologie numérique200px|vignette|La radiologie numérique permet le stockage et le transfert des données via les réseaux informatiques et la visualisation des clichés sur les écrans d'ordinateurs. La radiologie numérique est l'ensemble des techniques qui permettent d'obtenir des images radiologiques numérisées. En radiographie, la numérisation peut se faire : en scannant le film qui a été développé suivant la méthode traditionnelle (analogique). Cette technique est importante dans le contexte de l'archivage des clichés.
Conception de circuits intégrésLa conception (ou le design) de circuits intégrés (ou puces électroniques) consiste à réaliser les nombreuses étapes de développement (flot de conception ou design flow) nécessaires pour concevoir correctement et sans erreurs une puce électronique. Le point d'entrée est une spécification fonctionnelle qui décrit le fonctionnement voulu de la puce, ainsi que des contraintes non fonctionnelles (surface, coût, consommation...).
65 nmthumb|Processeur XCPU Falcon gravé en 65 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé de fabrication par CMOS. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 2006. Les processeurs Xenon de la génération "Falcon" sont gravés en technologie 65 nm, ainsi que les POWER6 et les Itanium 4 cores sortis en 2008. C'est également avec cette finesse qu'étaient gravés les CPU et GPU de certains modèles de PlayStation 3.
PhotodétecteurUn photodétecteur (ou détecteur photosensible ou détecteur optique ou détecteur de lumière) est un dispositif (détecteur) qui transforme la lumière qu'il absorbe en une grandeur mesurable, généralement un courant ou une tension électrique. Le capteur à fibre optique repose sur ce principe. Photodétecteurs (simples) : photomultiplicateur (ou phototube ou tube photomultiplicateur) ; photoconducteur (ou détecteur photoconducteur) ; photodiode ; photodiode à avalanche.
Three-dimensional integrated circuitA three-dimensional integrated circuit (3D IC) is a MOS (metal-oxide semiconductor) integrated circuit (IC) manufactured by stacking as many as 16 or more ICs and interconnecting them vertically using, for instance, through-silicon vias (TSVs) or Cu-Cu connections, so that they behave as a single device to achieve performance improvements at reduced power and smaller footprint than conventional two dimensional processes. The 3D IC is one of several 3D integration schemes that exploit the z-direction to achieve electrical performance benefits in microelectronics and nanoelectronics.
Conception assistée par ordinateur pour l'électroniqueLa CAO électronique (pour Conception assistée par ordinateur électronique), nommée également en anglais EDA (pour Electronic design automation), est la catégorie des outils servant à la conception et la production des systèmes électroniques allant des circuits imprimés jusqu'aux circuits intégrés. Le terme CAO est aussi utilisé pour désigner la CAO mécanique, la conception assistée par ordinateur et la fabrication assistée par ordinateur en électronique et en électrotechnique.
Physical design (electronics)In integrated circuit design, physical design is a step in the standard design cycle which follows after the circuit design. At this step, circuit representations of the components (devices and interconnects) of the design are converted into geometric representations of shapes which, when manufactured in the corresponding layers of materials, will ensure the required functioning of the components. This geometric representation is called integrated circuit layout.
FV4034 Challenger 2Le FV4034 Challenger 2 est un char de combat britannique construit par Vickers Defence Systems (maintenant BAE Systems) et qui est en service depuis 1998 dans les armées du Royaume-Uni et d'Oman. Conçu pour remplacer le Chieftain, le Challenger 2 reprend une version modifiée du châssis du Challenger 1, alors en service, mais équipée d'une nouvelle tourelle. Cent-vingt-sept chars furent initialement commandés en juin 1991 mais, à la suite de la restructuration des régiments blindés de la British Army, il fut décidé d'en commander deux-cent cinquante-neuf autres en juillet 1994 pour remplacer également le Challenger 1.
Orbital angular momentum of lightThe orbital angular momentum of light (OAM) is the component of angular momentum of a light beam that is dependent on the field spatial distribution, and not on the polarization. It can be further split into an internal and an external OAM. The internal OAM is an origin-independent angular momentum of a light beam that can be associated with a helical or twisted wavefront. The external OAM is the origin-dependent angular momentum that can be obtained as cross product of the light beam position (center of the beam) and its total linear momentum.
Radiographievignette|droite|redresse=1.2|Radiographie pulmonaire numérisée. La radiographie est une technique d', par rayons X dans le cadre de la radiographie X, ou par rayons gamma en gammagraphie. Les rayons X sont des ondes électromagnétiques de hautes fréquences de l'ordre de 1016 Hz à 1020 Hz et qui pénètrent la matière condensée (solides et liquides). Elle permet d'obtenir un cliché dont le contraste dépend à la fois de l'épaisseur et du coefficient d'atténuation des structures traversées.
PhotodiodeUne photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de capter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique. Comme beaucoup de diodes en électronique elle est constituée d'une jonction PN. Cette configuration de base fut améliorée par l'introduction d'une zone intrinsèque (I) pour constituer la photodiode PIN. En absence de polarisation (appelé mode photovoltaïque) elle crée une tension. En polarisation inverse par une alimentation externe (mode photoampérique), elle crée un courant.
Active-pixel sensorAn active-pixel sensor (APS) is an , which was invented by Peter J.W. Noble in 1968, where each pixel sensor unit cell has a photodetector (typically a pinned photodiode) and one or more active transistors. In a metal–oxide–semiconductor (MOS) active-pixel sensor, MOS field-effect transistors (MOSFETs) are used as amplifiers. There are different types of APS, including the early NMOS APS and the now much more common complementary MOS (CMOS) APS, also known as the CMOS sensor.
Photon countingPhoton counting is a technique in which individual photons are counted using a single-photon detector (SPD). A single-photon detector emits a pulse of signal for each detected photon. The counting efficiency is determined by the quantum efficiency and the system's electronic losses. Many photodetectors can be configured to detect individual photons, each with relative advantages and disadvantages. Common types include photomultipliers, geiger counters, single-photon avalanche diodes, superconducting nanowire single-photon detectors, transition edge sensors, and scintillation counters.
