Publication

Interplay of intrinsic and extrinsic states in pinning and passivation of m-plane facets of GaN n-p-n junctions

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Yi Wang
2020
Journal Articles

Résumé

Intrinsic and extrinsic pinning and passivation of

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/5eed6636-d848-4212-b9d8-514b16ec9206

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Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Yi Wang
2020
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Intrinsic and extrinsic pinning and passivation of

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Proximité ontologique

Physique

Physique de la matière condensée: Physique du solide

Concepts associés (28)

Surface states

Surface states are electronic states found at the surface of materials. They are formed due to the sharp transition from solid material that ends with a surface and are found only at the atom layers closest to the surface. The termination of a material with a surface leads to a change of the electronic band structure from the bulk material to the vacuum. In the weakened potential at the surface, new electronic states can be formed, so called surface states.

Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.

Niveau de Fermi

Le niveau de Fermi est une caractéristique propre à un système qui traduit la répartition des électrons dans ce système en fonction de la température. La notion de niveau de Fermi est utilisée en physique et en électronique, notamment dans le cadre du développement des composants semi-conducteurs. Concrètement, le niveau de Fermi est une fonction de la température mais il peut être considéré, en première approximation, comme une constante, laquelle équivaudrait alors au niveau de plus haute énergie occupé par les électrons du système à la température de .

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Publications associées (31)

Dataset to accompany publication "Quantum-mechanical effects in photoluminescence from thin crystalline gold films"

Giulia Tagliabue, Fateme Kiani Shahvandi, Theodoros Tsoulos, Alan Richard Bowman

This dataset accompanies the publication "Quantum-mechanical effects in photoluminescence from thin crystalline gold films" published in Light: Science & Applications (https://doi.org/10.1038/s41377-024-01408-2). The data can be used to reproduce plots 1-4 ...

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Quantum-mechanical effects in photoluminescence from thin crystalline gold films

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Identification and thermal healing of focused ion beam-induced defects in GaN using off-axis electron holography

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