Fabrication des dispositifs à semi-conducteursthumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.
Three-dimensional integrated circuitA three-dimensional integrated circuit (3D IC) is a MOS (metal-oxide semiconductor) integrated circuit (IC) manufactured by stacking as many as 16 or more ICs and interconnecting them vertically using, for instance, through-silicon vias (TSVs) or Cu-Cu connections, so that they behave as a single device to achieve performance improvements at reduced power and smaller footprint than conventional two dimensional processes. The 3D IC is one of several 3D integration schemes that exploit the z-direction to achieve electrical performance benefits in microelectronics and nanoelectronics.
Format d'imageAu cinéma et en vidéo, le format d'image est un abus de langage courant qui désigne en fait le « rapport de forme » de l'image ou de l'écran ; ce facteur désigne les proportions du rectangle d'affichage, parfois appelé « rapport de cadre » (« ratio » en anglais, ratio image, ratio écran, ratio projection) d'après l'anglais « aspect ratio » : c'est le rapport entre la largeur et la hauteur d'un photogramme ou d'un écran. Par convention, ce rapport largeur/hauteur s'écrit « largeur »:« hauteur ».
Via traversantDans le domaine de l'industrie des semi-conducteurs, un via traversant (en anglais through-silicon via) est un contact électrique réalisé dans la verticalité du substrat, permettant d'établir une connexion entre les deux faces. Ainsi les contacts peuvent être repris sur la face du substrat opposée à la face active où se trouvent les dispositifs microélectroniques ou électromécaniques. Le principal intérêt de l'utilisation de via traversants est de pouvoir interconnecter une puce sur une autre, ou sur un substrat (circuit imprimé), par rapport de puce, sans avoir recours à un câblage par fil.
SiliciumLe silicium est l'élément chimique de numéro atomique 14, de symbole Si. Ce métalloïde tétravalent appartient au groupe 14 du tableau périodique. C'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène, soit 25,7 % de sa masse, mais il n'est comparativement présent qu'en relativement faible quantité dans la matière constituant le vivant.
Semiconductor fabrication plantIn the microelectronics industry, a semiconductor fabrication plant (commonly called a fab; sometimes foundry) is a factory for semiconductor device fabrication. Fabs require many expensive devices to function. Estimates put the cost of building a new fab over one billion U.S. dollars with values as high as 3–4billionnotbeinguncommon.TSMCinvested9.3 billion in its Fab15 300 mm wafer manufacturing facility in Taiwan. The same company estimations suggest that their future fab might cost $20 billion. Facteur de forme (infographie)Le facteur de forme, rapport de forme (ratio en anglais) ou format tout court est la relation entre les deux dimensions de l'écran ou d'une projection exprimée sous forme fractionnaire. Le rapport est exprimé avec deux nombres séparés par un signe d'indication de rapport, idéalement un deux-points. Un rapport x:y, quelle que soit la taille de l'écran, indique que si un côté de l'écran mesure x unités l'autre côté sera proportionnellement égal à y unités.
Rapport de formeLe rapport de forme, rapport de format ou format tout court, en télévision est le rapport de deux longueurs d'un l'objet, ou d'un rectangle dans lequel il s'inscrit : largeur sur hauteur ou longueur sur largeur. Le rapport de forme est sans dimension. En infographie, on parle aussi de facteur de forme (ce terme est ambigu à cause de ses ). L'anglicisme ratio d'aspect décalque aspect ratio traduit officiellement par rapport largeur/hauteur.
65 nmthumb|Processeur XCPU Falcon gravé en 65 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé de fabrication par CMOS. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 2006. Les processeurs Xenon de la génération "Falcon" sont gravés en technologie 65 nm, ainsi que les POWER6 et les Itanium 4 cores sortis en 2008. C'est également avec cette finesse qu'étaient gravés les CPU et GPU de certains modèles de PlayStation 3.
Matrice de billesvignette|Un Cyrix MediaGX à BGA. vignette|Des puces mémoire à BGA soudées au circuit imprimé La matrice de billes (en anglais Ball Grid Array ou BGA) est un type de boîtier de circuit intégré, destiné à être soudé sur un circuit imprimé. Un boîtier BGA est composé d'une matrice de billes de soudures. Ces billes sont soudées sur un circuit imprimé possédant des plages d'accueil d'un diamètre adéquat. Il existe également des connecteurs qui permettent d'établir une liaison électrique entre un circuit intégré BGA et un circuit imprimé.
SolderSolder (UKˈsɒldə,_ˈsəʊldə; NA: ˈsɒdər) is a fusible metal alloy used to create a permanent bond between metal workpieces. Solder is melted in order to wet the parts of the joint, where it adheres to and connects the pieces after cooling. Metals or alloys suitable for use as solder should have a lower melting point than the pieces to be joined. The solder should also be resistant to oxidative and corrosive effects that would degrade the joint over time. Solder used in making electrical connections also needs to have favorable electrical characteristics.
System in packagethumb|Un SiP avec un processeur, mémoire et mémoire flash, combiné sur un seul substrat. Un SiP, acronyme de « System in Package » (système dans un boîtier, en français), aussi connu sous le nom de System-in-a-Package ou de Multi-Chip Module (MCM), désigne un système de circuits intégrés confinés dans un seul boîtier ou module. Le SiP permet de réaliser la totalité (ou presque) des fonctions habituelles d'un système électronique, tels que ceux présents à l'intérieur d'un téléphone mobile, d'un PC, d'un baladeur numérique, etc.
WaferEn électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique. En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Câblage par filDans le domaine des semi-conducteurs, le câblage par fil ou pontage (traduction de wire bonding) est une des techniques utilisées pour effectuer les connexions électriques entre le boîtier et le die d'un circuit intégré. Le câblage est simplement réalisé par un fil (ou pont) soudé entre les deux plots de connexion prévus à cet usage sur chacun des éléments. La soudure est généralement réalisée par ultrasons. Le matériau du fil est de l'aluminium, de l'or ou du cuivre. Le diamètre du fil est de l'ordre de 20 μm.
Silicium polycristallinLe silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d'un seul cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très faible cohérence cristallographique), le silicium polycristallin est constitué de multiples petits cristaux de tailles et de formes variées, qui lui confèrent des propriétés différentes des deux autres formes.
Process designIn chemical engineering, process design is the choice and sequencing of units for desired physical and/or chemical transformation of materials. Process design is central to chemical engineering, and it can be considered to be the summit of that field, bringing together all of the field's components. Process design can be the design of new facilities or it can be the modification or expansion of existing facilities. The design starts at a conceptual level and ultimately ends in the form of fabrication and construction plans.
Fusion du siliciumEn astrophysique, la fusion du silicium (parfois appelée improprement combustion du silicium) est une phase de fusion nucléaire de quelques semaines (typiquement une à trois semaines) de la fin de vie d'une étoile d'au moins 8 masses solaires. Cette phase commence lorsque ces étoiles ont épuisé tous les combustibles de la séquence principale du diagramme de Hertzsprung-Russell (hydrogène, hélium, carbone, néon, oxygène, magnésium...), ce qui contracte leur cœur jusqu'à le porter à une température de 2,7 à 3,5 GK — la température dépendant de la masse de l'étoile.
