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Publications associées (2)

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n(+)-GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application to regrown contacts

Daniel Marti, Jean-François Carlin, Nicolas Grandjean, Etienne François Olivier Giraud, Marco Malinverni, Lorenzo Lugani

We report on the low-temperature growth of heavily Si-doped (>10(20) cm(-3)) n(+)-type GaN by N-rich ammonia molecular beam epitaxy (MBE) with very low bulk resistivity (

Amer Inst Physics2014

Optical injection of charge current in quantum wires: oscillations induced by excitonic effects

Daniel Marti, Benoît Marie Joseph Deveaud, Marc-André Dupertuis

We investigate the charge current that is optically injected by interference between one- and two-photon excitation in the presence of excitonic effects. We consider a realistic V-shaped quantum wire excited slightly below the band gap by two simultaneous ...

2005