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Publications associées (10)

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Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy

Denis Martin, Nicolas Grandjean, Marco Malinverni, Hironori Okumura

We grew heavily Mg-doped GaN using ammonia molecular-beam epitaxy. The use of low growth temperature (740 degrees C) allows decreasing the incorporation of donor-like defects (

Amer Inst Physics2016

InGaN laser diode with metal-free laser ridge using n(+)-GaN contact layers

Denis Martin, Nicolas Grandjean, Marco Rossetti, Antonino Francesco Castiglia, Marco Malinverni, Camille Haller

We report on InGaN edge emitting laser diodes with a top metal electrode located beside the laser ridge. Current spreading over the ridge is achieved via a highly doped n(+)-type GaN layer deposited on top of the structure. The low sheet resistance of the ...

Iop Publishing Ltd2016

Optimization of NH₃-MBE grown p-doped (Al)GaN layers and their implementation in long wavelength laser diodes and tunnel junctions

Marco Malinverni

Over the last two decades III-nitride optoelectronic devices have experienced an impressive evolution in terms of performance. However, their potential is far from being fully exploited. Although they offer bandgaps from the deep UV to the infrared spectra ...

EPFL2015