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Antonino Francesco Castiglia

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Publications associées (27)

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GaN-based superluminescent diodes with long lifetime

Jean-François Carlin, Nicolas Grandjean, Antonino Francesco Castiglia

We report on the reliability of GaN-based super-luminescent light emitting diodes (SLEDs) emitting at a wavelength of 405 nm. We show that the Mg doping level in the p-type layers has an impact on both the device electro-optical characteristics and their r ...

Spie-Int Soc Optical Engineering2016

InGaN laser diode with metal-free laser ridge using n(+)-GaN contact layers

Denis Martin, Nicolas Grandjean, Marco Rossetti, Antonino Francesco Castiglia, Marco Malinverni, Camille Haller

We report on InGaN edge emitting laser diodes with a top metal electrode located beside the laser ridge. Current spreading over the ridge is achieved via a highly doped n(+)-type GaN layer deposited on top of the structure. The low sheet resistance of the ...

Iop Publishing Ltd2016

InGaN laser diodes emitting at 500 nm with p-layers grown by molecular beam epitaxy

Denis Martin, Julien Dorsaz, Nicolas Grandjean, Marco Rossetti, Eric Feltin, Antonino Francesco Castiglia, Marco Malinverni, Jean-Michel Jacques Lamy, Lise Lahourcade

We demonstrate hybrid laser diodes by combining n-type layers and an active region grown by metal organic vapor phase epitaxy with p-type layers grown by molecular beam epitaxy. These p-doped layers, grown at 740 degrees C, exhibit state-of-the-art electri ...

Japan Society of Applied Physics2015