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Lise Lahourcade

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Publications associées (5)

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Impact of surface morphology on the properties of light emission in InGaN epilayers

Jean-François Carlin, Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Lise Lahourcade

2018

Optical absorption edge broadening in thick InGaN layers: Random alloy atomic disorder and growth mode induced fluctuations

Jean-François Carlin, Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Marlene Glauser, Georg Rossbach, Lise Lahourcade, Gordon Jens Callsen

AIP American Institute of Physics2018

Enhancement of Auger recombination induced by carrier localization in InGaN/GaN quantum wells

Benoît Marie Joseph Deveaud, Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Mehran Shahmohammadi, Georg Rossbach, Lise Lahourcade, Gwénolé Jean Jacopin, Wei Liu

The origin of efficiency droop in state-of-the-art quality In GaN/GaN and GaN/AlGaN quantum wells (QWs) grown on various crystal planes is studied by means of time-resolved photoluminescence spectroscopy associated with a precise determination of the QW ca ...

Amer Physical Soc2017