Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Mehran Shahmohammadi

Cette personne n’est plus à l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2026 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (9)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Temperature Dependent Exciton Funnel Dynamics in Uniform Strain Gradient Field Observed by Time-Resolved Photoluminescence

Benoît Marie Joseph Deveaud, Jean-Daniel Ganière, Mehran Shahmohammadi, Gwénolé Jean Jacopin

Elastic strain engineering is an important way to reversibly tune the properties of micro/nanoscale semiconductors for promising applications in the emerging advanced nanotechnologies, such as the strain enhanced high-mobility transistors, nanogenerators, ...

WILEY-V C H VERLAG GMBH2021

Enhancement of Auger recombination induced by carrier localization in InGaN/GaN quantum wells

Benoît Marie Joseph Deveaud, Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Mehran Shahmohammadi, Georg Rossbach, Lise Lahourcade, Gwénolé Jean Jacopin, Wei Liu

The origin of efficiency droop in state-of-the-art quality In GaN/GaN and GaN/AlGaN quantum wells (QWs) grown on various crystal planes is studied by means of time-resolved photoluminescence spectroscopy associated with a precise determination of the QW ca ...

Amer Physical Soc2017

Excitonic Diffusion in InGaN/GaN Core–Shell Nanowires

Jean-Daniel Ganière, Hua Zhang, Mehran Shahmohammadi, Gwénolé Jean Jacopin

We report on the direct observation of the diffusion of carriers in graded InGaN/GaN quantum wells in a nanowire. By probing the local dynamics at the nanoscale, along the wire for different temperatures between 4 and 250 K, we conclude that this diffusion ...

American Chemical Society (ACS)2016