Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Benjamin Strahm

Cette personne n’est plus à l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2026 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (19)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Interdigitated back contact silicon heterojunction solar cells featuring an interband tunnel junction enabling simplified processing

Christophe Ballif, Antoine Descoeudres, Nicolas Badel, Benjamin Strahm, Antonin Faes, Sylvain Nicolay, Quentin Thomas Jeangros, Gabriel Christmann, Stefaan De Wolf, Matthieu Despeisse, Loris Barraud, Jonas Geissbühler, Johannes Peter Seif, Andrea Tomasi, Bertrand Yves Paul Paviet-Salomon

This paper reports on the development of an innovative back-contacted crystalline silicon solar cell with passivating contacts featuring an interband tunnel junction at its electron-collecting contacts. In this novel architecture, named "tunnel-IBC", both ...

2018

Improved amorphous/crystalline silicon interface passivation by hydrogen plasma treatment

Christophe Ballif, Antoine Descoeudres, Benjamin Strahm, Bénédicte Demaurex, Stefaan De Wolf, Loris Barraud, Jakub Holovsky, Johannes Peter Seif

Silicon heterojunction solar cells have high open-circuit voltages thanks to excellent passivation of the wafer surfaces by thin intrinsic amorphous silicon (a-Si:H) layers deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition. We show a dramatic improvem ...

2011

Microcrystalline and micromorph device improvements through combined plasma and material characterization techniques

Christophe Ballif, Benjamin Strahm, Andrea Feltrin, Gaetano Parascandolo, Grégory Bugnon

Hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) growth by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) is studied in an industrial-type parallel plate KAI reactor. Combined plasma and material characterization techniques allow ...

Elsevier B.V Amsterdam2011