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Roman Gysel

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Publications associées (6)

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Retention in nonvolatile silicon transistors with an organic ferroelectric gate

Didier Bouvet, Nava Setter, Alexander Tagantsev, Igor Stolichnov, Mihai Adrian Ionescu, Roman Gysel, Giovanni Antonio Salvatore, Sebastian Riester

A silicone-based one-transistor nonvolatile memory cell has been implemented by integration of a ferroelectric polymer gate on a standard n- type metal oxide semiconductor field effect transistor. The polarization reversal in the gate results in a stable a ...

AIP American Institute of Physics2009

1T Memory Cell Based on PVDF-TrFE Field Effect Transistor

Didier Bouvet, Nava Setter, Igor Stolichnov, Mihai Adrian Ionescu, Roman Gysel, Giovanni Antonio Salvatore, Sebastian Riester

Interest in PVDF-TrFE copolymers as ferroelectric material for Memory application is driven by the prospect of having low cost, low operating voltage and fully organic device. Some previous studies reported FET designs using copolymers [refs 1,2] but none ...

2008

Restricted domain growth and polarization reversal kinetics in ferroelectric polymer thin films

Nava Setter, Alexander Tagantsev, Igor Stolichnov, Pavel Mokry, Roman Gysel

2008