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Giovanni Antonio Salvatore

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Publications associées (10)

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Experimental confirmation of temperature dependent negative capacitance in ferroelectric field effect transistor

Mihai Adrian Ionescu, Giovanni Antonio Salvatore, Alexandru Rusu

In this paper, we report the basic design conditions and the experimental confirmation of a temperature dependent negative capacitance (NC) effect in a ferroelectric field-effect-transistor (Fe-FET). We find that the internal voltage amplification peaks of ...

American Institute of Physics2012

Ferroelectric Field Effect Transistor for Memory and Switch Applications

Giovanni Antonio Salvatore

Silicon technology has advanced at exponential rates both in performances and productivity through the past four decades. However the limit of CMOS technology seems to be closer and closer and in the future we might see an increasing number of hybrid appro ...

EPFL2011

Ultra low power: Emerging devices and their benefits for integrated circuits

Mihai Adrian Ionescu, Giovanni Antonio Salvatore, Luca De Michielis, Alexandru Rusu, Nilay Dagtekin, Ji Cao, Sebastian Thimotee Bartsch

In this paper we analyze and discuss the characteristics and expected benefits of some emerging device categories for ultra low power integrated circuits. First, we focus on two categories of sub-thermal subthreshold swing switches Tunnel FETs and Negative ...

IEEE2011