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Publications associées (26)

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Semiconductor tunneling device

Mihai Adrian Ionescu, Luca De Michielis, Nilay Dagtekin, Livio Lattanzio, Cem Alper

The present invention concerns a semiconductor tunneling Field-Effect device including a source, a drain, at least one elongated semiconductor structure extending in an elongated direction, a first gate, and a second gate. The first gate has a length exten ...

2016

Compact modeling of DG-Tunnel FET for Verilog-A implementation

Mihai Adrian Ionescu, Luca De Michielis, Arnab Biswas, Antonios Bazigos

In this work, a compact model based on an analytical closed form solution of the 1D Poisson's equation for a double-gate Tunnel FET is derived. Furthermore, the current levels are estimated by implementing an algorithm based on the Kane's band-to-band tunn ...

IEEE2015

Conformal Mapping Based DC Current Model For Double Gate Tunnel FETs

Mihai Adrian Ionescu, Luca De Michielis, Arnab Biswas, Cem Alper

In this work, the conformal mapping technique is applied to obtain an analytical closed form solution of the 2D Poisson’s equation for a double-gate Tunnel FET. The generated band profiles are accurate in all regions of device operation. Furthermore, the c ...

IEEE2014