Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Livio Lattanzio

Cette personne n’est plus à l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2026 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (21)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Semiconductor tunneling device

Mihai Adrian Ionescu, Luca De Michielis, Nilay Dagtekin, Livio Lattanzio, Cem Alper

The present invention concerns a semiconductor tunneling Field-Effect device including a source, a drain, at least one elongated semiconductor structure extending in an elongated direction, a first gate, and a second gate. The first gate has a length exten ...

2016

Two dimensional quantum mechanical simulation of low dimensional tunneling devices

Mihai Adrian Ionescu, Livio Lattanzio, Cem Alper, José Luis Padilla de la Torre, Pierpaolo Palestri

We present a 2-D quantum mechanical simulation framework based on self-consistent solutions of the Schrodinger and Poisson equations, using the Finite Element Method followed by tunneling current (direct and phonon assisted) calculation in post-processing. ...

Elsevier2015

Two Dimensional Quantum Mechanical Simulation of Low Dimensional Tunneling Devices

Mihai Adrian Ionescu, Livio Lattanzio, Cem Alper, José Luis Padilla de la Torre, Pierpaolo Palestri

We present a 2-D quantum mechanical simulation framework based on self-consistent solutions of Schrodinger-Poisson system, using the Finite Element Method. The quantum mechanical model includes direct as well as phonon-assisted transitions and it is applie ...

IEEE2014