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Shashi Kanth Bobba

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Publications associées (16)

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Resistive Switching Element and Use Thereof

Yusuf Leblebici, Giovanni De Micheli, Shashi Kanth Bobba, Davide Sacchetto, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Tugba Demirci

A bipolar resistive switching device including an electrically conductive bottom electrode, a stack of transition metal oxides layers, a number of transition metal oxide layers being equal or greater than 2, the stack including: at least one MOx layer, at ...

2016

Layout Technique for Double-Gate Silicon Nanowire FETs With an Efficient Sea-of-Tiles Architecture

Giovanni De Micheli, Shashi Kanth Bobba

As we advance into the era of nanotechnology, semiconductor devices are scaled down to their physical limits, thereby opening up venues for new transistor channel materials based on nanowires and nanotubes. Transistors based on nanowires and nanotubes inhe ...

Ieee-Inst Electrical Electronics Engineers Inc2015

System Level Benchmarking with Yield-Enhanced Standard Cell Library for Carbon Nanotube VLSI Circuits

Giovanni De Micheli, Shashi Kanth Bobba, Jian Zhang, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Subhasish Mitra

The quest for technologies with superior device characteristics has showcased Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors (CNFET) into limelight. In this work we present physical design techniques to improve the yield of CNFET circuits in the presence of Carb ...

Assoc Computing Machinery2014