Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Nils Asmus Kristian Kaufmann

Cette personne n’est plus à l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2026 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (5)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Critical impact of Ehrlich-Schwobel barrier on GaN surface morphology during homoepitaxial growth

Denis Martin, Nicolas Grandjean, Nils Asmus Kristian Kaufmann, Lise Lahourcade

We discuss the impact of kinetics, and in particular the effect of the Ehrlich-Schwobel barrier (ESB), on the growth and surface morphology of homoepitaxial GaN layers. The presence of an ESB can lead to various self-assembled surface features, which stron ...

Elsevier Science Bv2016

Investigation of indium-rich InGaN alloys and kinetic growth regime of GaN

Nils Asmus Kristian Kaufmann

Nowadays, light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) are part of our daily life. More and more devices incorporate InGaN-based optoelectronic devices. In fact, since the first demonstration of a candela-class InGaN-based LED in the beginning of th ...

EPFL2013

Thermal annealing of molecular beam epitaxy-grown InGaN/GaN single quantum well

Denis Martin, Nicolas Grandjean, Nils Asmus Kristian Kaufmann

The effect of thermal annealing on In0.25Ga0.75N/GaN quantum wells grown by molecular beam epitaxy at 550 degrees C is investigated. A strong increase in the 300 K photoluminescence (PL) intensity is observed for samples annealed at 880 degrees C, while de ...

Iop Publishing Ltd2012