Publication

Reconfigurable Periodic Structures and Metamaterials: Enabling Technologies, Design, and Applications from Microwave to Terahertz

Julien Perruisseau-Carrier
2014
Conference Papers

Résumé

In this presentation we will review our recent activity related to the dynamic reconfiguration of periodic structures and their application. Different reconfigurable periodic 'meta' transmission lines, reconfigurable uniform and a-periodic metasurfaces, will be discussed together with their applications. The proposed concepts are implemented at various frequencies from microwave to terahertz, using different technologies including semiconductors diodes, metal MicroElectroMechanical systems ( metalMEMS), Graphene, and dielectric electro- active polymers (DEAP).

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/0aa8dc5d-3ac3-4cc0-914c-6f34d7b30b47

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Julien Perruisseau-Carrier
2014
Conference Papers

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/0aa8dc5d-3ac3-4cc0-914c-6f34d7b30b47

À propos de ce résultat

Concepts associés (23)

Métamatériau

En physique, en électromagnétisme, le terme métamatériau désigne un matériau composite artificiel qui présente des propriétés électromagnétiques qu'on ne retrouve pas dans un matériau naturel. Il s'agit en général de structures périodiques, diélectriques ou métalliques, qui se comportent comme un matériau homogène n'existant pas à l'état naturel. Il existe plusieurs types de métamatériaux en électromagnétisme, les plus connus étant ceux susceptibles de présenter à la fois une permittivité et une perméabilité négatives.

Nanoélectronique

vignette|Structure d'un transistor FinFET La nanoélectronique fait référence à l'utilisation des nanotechnologies dans la conception des composants électroniques, tels que les transistors. Bien que le terme de nanotechnologie soit généralement utilisé pour des technologies dont la taille est inférieure à environ , la nanoélectronique concerne des composants si petits qu'il est nécessaire de prendre en compte les interactions interatomiques et les phénomènes quantiques.

Transport d'énergie électrique

vignette|Lignes électriques de en courant triphasé reliant le barrage de Grand Coulee au réseau électrique. Le transport d'énergie électrique est le mouvement massif d'énergie électrique d'un site de production, tel qu'une centrale électrique, à un poste électrique. Les lignes interconnectées qui facilitent ce mouvement forment le réseau de transport. Celui-ci est distinct du câblage local entre les sous-stations à haute tension et les clients, qui forme la distribution d'énergie électrique.

Afficher plus

Publications associées (32)

Active Voltage Balancing with Seamless Integration into Dual Gate Driver for Series Connection of SiC MOSFETs

Drazen Dujic

The versatility of half-bridge configuration of silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) power module contributes to its widespread adoption, highlighting the popularity and significance of its corresponding dual gat ...

2024

Plasmonic Nanostructures for Photocatalysis: Material, Photonic and Electronic Effects

Fateme Kiani Shahvandi

Plasmonic photochemistry has a large potential to replace energy-intensive chemical processes with low-temperature, low-pressure light-driven chemical reactions. Plasmonic nanostructures have emerged as promising photocatalysts with exceptional and tunable ...

EPFL2024

Polarization-enhanced GaN Schottky barrier diodes: Ultra-thin InGaN for high breakdown voltage and low Ron

Elison de Nazareth Matioli, Alessandro Floriduz, Zheng Hao

In this work, we present a concept that leverages the strong piezoelectric polarization field in InGaN, which counteracts the external electric field at reverse bias. We show that despite the smaller InGaN band-gap and lower critical electric field, its st ...

2024

Afficher plus