Publication

Dispiro-oxepine/thiapine derivatives for optoelectronic semiconductors

Mohammad Khaja Nazeeruddin, Kasparas Rakstys, Sanghyun Paek, Muhammad Sohail
2018
Patents

Résumé

The dispiro-oxepine/dispiro-thiapine derivatives for optoelectronic semiconductors is a compound based on a structure having a functionalized dispiro compound of formula (Ia) or (Ib) with the core unit being a seven-membered heterocycle oxepine or thiapine, the derivative being formed by combining (Ia) or (Ib): with two moities selected from K1 and K2: The derivative is used as a hole transporting material in an optoelectronic and/or photoelectrochemical device.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/12fceeb0-a928-419e-9c86-99d7928f7b25

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Mohammad Khaja Nazeeruddin, Kasparas Rakstys, Sanghyun Paek, Muhammad Sohail
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Opto-électronique

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Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.

Electron mobility

In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, .

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