Atomic layer depositionL’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
GalinstanLe galinstan est un alliage eutectique de gallium (Ga), d'indium (In) et d'étain (Sn) qui est liquide à température ambiante, avec une température de fusion de (dans sa forme ternaire pure). Grâce à la faible toxicité et à la faible réactivité de ses composants, il est utilisé comme substitut du mercure (Hg) toxique et du NaK réactif. Il est composé (dans sa forme ternaire pure) de 68,5 % de gallium, 21,5 % d'indium et 10 % d'étain (le nom est un mot-valise venant de gallium, indium, et stannum).
